Výrobca Číslo produktu:
TSM60N900CI C0G
Product Overview
Výrobca:
Taiwan Semiconductor Corporation
Číslo dielu:
TSM60N900CI C0G-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 4.5A ITO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 4.5A (Tc) 50W (Tc) Through Hole ITO-220AB
Inventár:
12894521
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TSM60N900CI C0G Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Taiwan Semiconductor
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
4.5A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
900mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
9.7 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
480 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
50W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
ITO-220AB
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Základné číslo produktu
TSM60
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
TSM60N900CIC0G
TSM60N900CI C0G-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRFIB6N60APBF
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
900
ČÍSLO DIELU
IRFIB6N60APBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.71
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IRFIBC40GLCPBF
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
IRFIBC40GLCPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.10
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
TSM2303CX RFG
MOSFET P-CHANNEL 30V 1.3A SOT23
DMT3009LFVWQ-13
MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333
DMTH10H010SCT
MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB
